温度传感器IR-FAINLN CHINO

 代理日本千野CHINO仪器仪表  温度传感器IR-FAINLN CHINO    温度传感器IR-FAINLN CHINO
吴经理:  132,4667,5433
工作

本体部形式

名称
形式
本体部 检出元件 InGaAs	IR-FAI□□□
本体部 检出元件 Si	IR-FAS□□□
集光部形式

名称	形式
集光部 测定距离和测定径 100mm时为Ф1mm	IR-FL0□□□□
集光部 测定距离和测定径 1000mm时为Ф12mm	IR-FL1□□□□
集光部 测定距离和测定径 500mm时为Ф5mm	IR-FL2□□□□
集光部 测定距离和测定径 200mm时为Ф2mm	IR-FL3□□□□
集光部 测定距离和测定径 200mm时为Ф4mm	IR-FL4□□□□
集光部 测定距离和测定径 150mm时为Ф5mm	IR-FL5□□□□
集光部 测定距离和测定径 600mm时为Ф20mm	IR-FL6□□□□
集光部 测定距离和测定径 1000mm时为Ф8mm	IR-FL8□□□□
电源单元形式

名称	形式
电源单元	IR-ZFEP
标准量程

检出元件	测定范围	
集光部
InGaAs	
150～450℃
200～700℃
250～1000℃
300～1300℃

IR-FL5、IR-FL6
250～1000℃
300～1300℃
350～1600℃

IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
Si	
400～900℃
500～1200℃
600～1800℃
700～2400℃

IR-FL5、IR-FL6
600～1800℃
700～2400℃
800～3000℃

IR-FL0、IR-FL1、IR-FL2、IR-FL3、IR-FL4、IR-FL8
规格
本体部

形式	
IR-FAI
IR-FAS
测定方式	单色形
检出元件	InGaAS	Si
测定波长	1.55μm	0.9μm
精度	
1000℃未满:±5℃
1000℃以上1500℃未满:测定值的:±0.5%
1500℃以上2000℃未满:测定值的:±1%
2000℃以上:测定值的±2%

重复性	0.2℃
温度漂移	0.1℃或测定值的0.015%/℃*的值
分辨率	0.5℃
响应时间	0.01s
辐射率修正	辐射率设定值:1.999～0.050
信号调制	
DELAY:平均值(平滑度)(调制度0.0-99.9s、0.1s/步
任意设定)、调制度0=REAL、
PEAK：较高值（调制度0、2、5、10℃/s 选择设定）、
调制度0=（峰值保持）

显示方式	
LCD 4位（温度显示部、参数显示部）、℃/°F操作键切换

模拟输出	
4-20mA DC隔离输出（负载阻抗500Ω以下）
精度：输出范围的±0.2%
输出分辨率:输出范围的0.01%
输出刻度:测定温度范围内可任意设定
模拟输出:模拟输出的0-**范围内可任意设定

接点输出	1点、上限（下限）报警或出错信号。光耦合器30V DC、较大0.2A
接点输入	1点、峰值保持复位或采样保持。
用操作键并列设定	操作员方式：辐射率的设定、信号调制、报警等的设定
工程方式：显示单位(oC、F).输出量程
选件功能的设定
运算机能	零、满度调整、辐射率自动运算、输出修正
自己诊断	机器温度异常、参数出错
选件	激光投光功能	表内半导体投光器、激光1mW以下（645nm）2级
（高灵敏度形表内不设激光投光）
模拟输入	输入信号：4～20mA
辐射率的远隔设定或自动辐射率运算的基准温度输入设定选择
通信接口	RS-485
测定数据（小数点以下1位）的传送、各设定参数传送及接收
使用温度范围	0～50℃
许容振动	3G以下
电源	24V DC（容许电压变动范围22～28V DC）、600mA、推荐电源单元IR-ZFEP
功耗	较大3VA
连接方式	无螺钉、压紧式端子连接
安装方式	DIN导轨安装或褂壁安装
外壳材质	树脂制
外形尺寸重量	W90×H90×D60mm、约250g（仅本体部）
符合CE规定	符合CE规定（EMC指令：EN5501 Group 1 Class A、
EN50082-2）
标准附属品

十字槽螺丝刀使用说明书
光纤部

光纤	单芯石英光纤（芯径400μm）
护套	无金属保护管（耐热被覆玻璃纤维编织）
有金属保护管（耐热被覆玻璃纤维编织+SUS软管）
耐热	较大150℃
长度	无金属保护管：2m～50m*
有金属保护管：2m～20m*
许容弯曲半径	R100mm